国家纳米科技专项学术研讨会在新创纳成功举行

2021年4月10日，国家重点研发计划纳米科技专项重要项目学术研讨会于浙江海宁举行。这次会议由国家纳米科技专项首席科学家、国家万人计划专家宋志棠研究员召集，在浙江新创纳电子科技有限公司召开。会议邀请了复旦大学刘明院士、南京大学祝世宁院士、中国物理科学研究所解思深院士、清华大学范守善院士、浙江大学叶志镇院士、北京大学朱星教授、中科院上海微系统与信息技术研究所谢晓明所长、中科院上海高等研究院封松林院长、上海集成电路研发中心李铭部长以及中科院微电子研究所、中芯国际集成电路制造有限公司等教授专家50余人参加。

集成电路芯片是信息系统的核心，是国家基础性、先导性和战略性产业，是国家信息安全保证。存储芯片是集成电路三大芯片之一，占集成电路市场的~30%。研发具有自主知识产权的高性能海量存储技术将推动我国信息产业快速发展，产生巨大的经济效益。相变存储器（PCRAM）与新型CMOS工艺兼容，是高密度、可三维集成的新型海量存储技术，比传统DRAM容量大价格低，比3D NAND FLASH速度快，寿命长，是未来实现存算一体，人工智能、大数据、生命健康的核心芯片，具有非常广阔的市场前景。会议的主体单位中科院上海微系统与信息技术研究所十分重视与地方的合作，研究所所长谢晓明表示，目前，上海微系统与信息技术研究所已和海宁有多个项目进行协作，下一步将继续深化，拓展产研领域合作，推进技术成果转化和更多的项目在海宁落地，做强集成电路产业。这次会议放在海宁召开，显示了中科院上海微系统与信息技术研究所对海宁的大力支持，也展示了海宁的集成电路产业得到了业界的广泛关注。

会上，中科院上海微系统所纳米材料与器件实验室主任，浙江新创纳有限公司董事长宋志棠研究员做了项目进展报告。

上海集成电路研发中心有限公司技术研发部钟旻高工汇报了40nm PCRAM芯片技术平台建设进展；中科院上海高等研究院田犁汇报了相变存储芯片应用研究进展；中国科学院微电子研究所罗庆汇报了新型选通管开发与机理研究进展。

院士专家们对项目所取得的阶段性成果给予高度肯定，并对新型存储技术的下一步发展指明方向，鼓励项目组成员再接再厉，争取获得更大的突破，做出更加有显示度的成果。与会人员对自主产权的高性能存储技术的研究应用和发展前景及与地方的产研协作进行深入地交流讨论，取得十分良好的大会成果。

会后，主要参会人员在浙江新创纳电子科技有限公司前台合影留念。

附主要专家介绍（排名不分先后）：

刘明：博导，复旦大学教授，微电子科学与技术专家。1985年本科毕业于合肥工业大学，1988年获该校硕士学位，1998年于北京航空航天大学获博士学位。2000年被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。2008年获得国家杰出青年基金资助。2015年当选为中国科学院院士。长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。发表SCI收录论文300余篇，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。曾获国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项、中国真空科技成就奖和中科院杰出成就奖等奖项。

祝世宁：博导，南京大学教授，中科院院士，美国光学学会Fellow。现任教育部科技委委员，材料学部主任，江苏省物理学会理事长，江苏省科协副主席，国家纳米科学技术指导协调委员会委员、专家组成员等。长期从事微结构功能材料和物理、非线性光学、激光物理与技术和量子光学方面的研究，在微结构材料的设计、制备、性能表征、新效应研究和器件研制方面工作较为系统。2006年作为主要完成人之一所完成的“介电体超晶格的设计、制备、性能与应用”项目获中国国家自然科学一等奖。

解思深：博导，中国科学院物理研究所研究员，国家纳米科学中心首席科学家。2003年中国科学院院士，2004年第三世界科学院院士。主要研究方向:1.纳米碳管及其它一维纳米材料阵列体系的制备方法研究，模板生长和可控生长机理研究，内嵌或外包附及金属掺杂的研究；2.纳米碳管及其它一维纳米材料阵列体系的结构和谱学研究；3.纳米碳管及其它一维纳米材料、阵列体系的物性研究；4.纳米碳管及其它一维纳米材料作为复合材料中加强材料的应用，界面结构和性质研究。主要工作及获得的成果： “高Tc氧化物体系的发现”获1989年国家自然科学一等奖，“液氮温区氧化物超导体的合成，相关系和晶体结构”的研究获1991年国家自然科学三等奖。“低温和强磁场下的超高压装置和应用于固体物理研究”获1998年中科院科技进步三等奖。1992年在国内率先开展了碳纳米管的研究，在定向碳纳米管的制备、结构和物理性质的研究方面取得了一系列的重要进展。先后在Science、Nature上发表三篇文章，并在Phys. Rev. Letts., Advanced Materials等发表多篇学术论文；论文被引用2500余次。获得2000年ISI经典论文奖（1981-1998），2000年乔口隆基基金会材料奖，2000年何梁何利科学技术进步奖，2001年中科院自然科学奖一等奖，2002年国家自然科学奖二等奖，2002年周培源基金会物理奖。

范守善：博导，清华大学教授。1970年毕业于清华大学，1973-1975年在清华大学固体物理研究班学习，1981年获清华大学理学硕士学位，其后一直在清华大学任教。曾在麻省理工学院、哈佛大学和斯坦福大学做访问学者。现任清华大学物理系教授、清华大学学术委员会副主任、清华-富士康纳米科技研究中心主任。1999年获教育部首届"长江学者成就奖"二等奖，2003年当选为中国科学院院士，2010年当选为第三世界科学院院士。长期从事纳米材料与低维物理的研究。近十余年来研究方向集中在碳纳米管阵列、薄膜和长线的控制合成、性能表征和应用探索领域。发表SCI论文160余篇。

叶志镇：博导，浙江大学材料系主任、求是特聘教授、浙江省特级专家。2019年当选中国科学院院士。现任浙江大学材料科学与工程学系主任，曾任硅材料国家重点实验室主任，浙大材料与化工学院副院长，浙大纳米科技中心主任。现任中国电子学会理事，中国电子学会电子材料分会副主任委员，中国能源学会常务理事，《半导体学报》编委等。主持国家“973”和国家自然科学基金重大、重点项目及面上基金等20余项；发表论文500余篇，其中SCI论文300余篇，国际期刊JACS、AM、APL等收录论文近100篇，论文被引用6000多次；拥有国家授权发明专利60余项；获国家自然科学二等奖1项，省部级科技一、二、三等奖7项；国际大会报告、邀请报告30余次。

朱星：博导，北京大学物理学院教授，1983年加拿大多伦多大学应用科学硕士学位， 1986年德国Saarland大学博士学位。Saarland大学和北京大学博士后，1994年晋升为教授。科研经历包括早期由Herbert Gleite领导的纳米晶体材料研究的先驱工作，纳米材料和高 Tc 超导体、富勒烯的结构分析。近年来研究主要集中在纳米级的光学特性和光谱分析，特别是近场光学领域。开发了一些新型仪器，如扫描近场光学显微镜 (SNOM) ，低温学 SNOM 和近场光学光谱学技术。主要研究方向是生物学系统中 SNOM 技术的应用，分子和细胞级的光学检测。研究领域还包括：通过检测表面波的形成和传播、表面的光散射，利用室内温度、液态氮温度研究介观系统的光学属性和纳米级结构，还有荧光、光发射和偏振的特性，以及半导体设备的非线性效果，并且探索介观和纳米级结构之间的耦合机制。 担任近场光学和纳米光学领域国际会议的主席（1999, 2002, 2004），以及《中国物理》和《Physica Sinica》的副主编。

封松林：博导，研究员，巴黎第七大学博士，现任中科院上海高研院研究员。在半导体低维结构、纳米电子器件、无线传感网（物联网）等领域做出了多项开创性的工作。主持了多项国家、地方和部门的重大、重点项目，目前从事信息科学前沿技术研究，先后获中国科学院青年科学家奖、国家自然科学二等奖（第二完成人）、上海市自然科学牡丹奖和上海市科技进步一等奖（第一完成人）。曾任中国微纳米技术学会第一届理事会常务理事、副理事长；国家纳米指导协调委员会成员，“纳米研究”重大科学研究计划专家组成员。1983年毕业于武汉大学物理系，同年留校任教。1986年经选拔赴法国巴黎第七大学攻博，1987、1990年获巴黎第七大学硕士、博士学位，期间获校长奖金。1992年在该校做博士后。1992年至2000年曾任中科院半导体所副研究员、研究员、副主任/主任/所长助理/副所长。2001.01至2002.05任中科院上海微系统所研究员、副所长，2002.5至2010.8任该所研究员、所长；2009.03任中国科学院上海高等研究院（筹）研究员，筹备组长，2012年10月起任中国科学院上海高等研究院院长。

刘彦伯：博士，研究员，上海市纳米科技与产业发展促进中心主任、书记，上海产业技术研究院智能机器人研发中心主任，上海大学兼职教授。长期从事功能性纳米材料、微纳制造、微纳器件、人工智能和机器人系统集成技术研究、多次主持和参与纳米科技、新材料、先进制造领域的技术发展预见，全国金属与非金属覆盖层标准化技术委员会涂层表征与检测分技术委员会委员。作为负责人主持完成《紫外纳米压印模板结构复型精度研究》、《利用纳米压印技术实现相变存储单元纳米尺度化研究》、《远程巡诊服务机器人关键技术研究及系统实现》等省部级重点科研项目5项，作为主要技术骨干参与完成国家重大科研计划项目《基于纳米结构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究》、省部级重点研究项目《纳米压印技术提升GaN发光二极管出光效率的研究》等8项，以及985项目、企业科技开发项目多项。发表学术论文30余篇，获授权专利4项。合著中文专著 1部及2部英文专著章节。

李铭：高级工程师，现任上海集成电路研发中心有限公司技术研发部兼工程营运部部长。复旦大学物理学专业，曾就职于上海贝岭、新加坡特许等集成电路制造企业。18年集成电路制造工艺开发和技术研发经验，作为课题负责人负责02专项 “0.13-0.09微米铜互连工艺”、“16-14nm 关键光刻工艺与技术”等课题，曾获2013年上海市科技进步奖一等奖，2014年国家科技进步二等奖和2014年上海市技术发明奖二等奖，申请超过30项发明专利。

谢晓明：博导，研究员，中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长、法定代表人，信息功能材料国家重点实验室主任，中科院超导电子学卓越中心主任。在中科院上海微系统所取得博士学位，曾赴法国巴黎工业物理化学高等工程师学院(ESPCI)做访问学者。于1990年7月加入中国科学院上海微系统与信息技术研究所。长期从事超导和石墨烯量子材料、超导量子器件及其应用研究领域研究工作，取得多项创新性成果。在Science, Nature子刊等学术期刊和国际会议发表研究论文280余篇，他引3500余次，授权国内发明专利95项，国际专利5项。主持中科院Ｂ类战略先导专项、中科院A类战略先导专项、国家重大科研装备研制项目、国家重大专项等多项重大科研项目。上海市首届自然科学牡丹奖获得者，第五届中国青年科技奖获得者，上海市领军人才。

宋志棠：博导，研究员，中科院上海微系统与信息技术研究所纳米材料与器件实验室主任，信息功能材料国家重点实验室副主任，相变存储器首席科学家，国家“万人计划”科技创业领军人才，承担国家3个973、2个02专项等重大项目。在Science、Nature Communications 等期刊发表论文500余篇，数量为该领域国际第一，他引4000多次；出版专著两部；发明专利381项，数量国内第一；搭建12 英寸PCRAM专用平台，具备Gb及开发能力，研制出我国第一款PCRAM芯片，嵌入式PCRAM芯片在国际上首次应用。创立相变八面体基元理论，获得2020年上海市自然科学一等奖和2019年中国材料研究学会科学技术一等奖。电子级SiO2磨料、IC等芯片抛光液产业化获上海市技术发明一等奖。

刘卫丽：博导，研究员，国家“万人计划”创新领军人才，主要从事纳米材料和器件、电子级纳米磨料（硅溶胶）和抛光液的研究。近年来在国内外刊物发表论文一百多篇，申请发明专利100余项，其中授权70余项。主持国家重大专项、国家863项目、国家自然科学基金和上海市重点攻关等多个项目。获得国家科技进步一等奖、上海市技术发明一等奖、上海市科技进步一等奖、中科院杰出科技成就奖和中国科协求是杰出成果转化奖等奖项。